BSS110
|
MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 170mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 25V |
| Power - Max | 630mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BF 5030 E6327 |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
 |
|
BF 998R E6327 |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
| КП103М ЗОЛ. 81-89Г | 4 | 196.56 | ||||||
 |
КП903А |
|
131.20 | |||||
|
|
КП903А | ПУЛЬСАР |
|
|
||||
 |
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 92 | 270.48 | ||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК | 15 | 210.00 | |
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО |
|
|
