IPA60R125CP

Версия для печати

Технические характеристики IPA60R125CP

Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 16A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	25A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2500pF @ 100V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	PG-TO-220-FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPA60R125CP

CoolMOS Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

IPA60R125CP datasheet
260.78Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IKW30N60T				1 000.00
IKW30N60T		Infineon Technologies
IKW30N60T		INFINEON
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...			520.00
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	STMicroelectronics
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	4-7 НЕДЕЛЬ	721
MC33368DR2G		ON SEMICONDUCTOR
MC33368DR2G		ONS
MC33368DR2G				404.80
MC33368DR2G		4-7 НЕДЕЛЬ	640
SG6105DZ		SGC	41	143.24
SG6105DZ
SG6105DZ
SG6105DZ		4-7 НЕДЕЛЬ	364
SKW30N60HS		Infineon Technologies
SKW30N60HS		INFINEON
SKW30N60HS