IPB60R125C6


600v coolmos™ c6 power transistor

IPB60R125C6 (заказ)
IPB60R125C6

Технические характеристики IPB60R125C6

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияCoolMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 14.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 960µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs96nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2127pF @ 100V
Power - Max219W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru