IPB016N06L3 G


Купить IPB016N06L3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB016N06L3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPB016N06L3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6 mOhm @ 100A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C180A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 196µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs166nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds28000pF @ 30V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB
КорпусPG-TO263-7
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход