IPP037N08N3 G E8181


Купить IPP037N08N3 G E8181 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP037N08N3 G E8181 MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Версия для печати

Технические характеристики IPP037N08N3 G E8181

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.75 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8110pF @ 40V
Power - Max214W
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPP037N08N3 G E8181 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход