IPP200N15N3 G


Купить IPP200N15N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP200N15N3 G MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Версия для печати

Технические характеристики IPP200N15N3 G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1820pF @ 75V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPP200N15N3 G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход