NTD6416ANL-1G
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 19A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Power - Max | 71W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
