IPP114N12N3 G


Купить IPP114N12N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP114N12N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPP114N12N3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4 mOhm @ 75A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C75A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4310pF @ 60V
Power - Max136W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход