IPS12CN10L G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 69A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 69A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 50V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | PG-TO251-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
