IPI80N06S2-07


Купить IPI80N06S2-07 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPI80N06S2-07 MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Версия для печати

Технические характеристики IPI80N06S2-07

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6 mOhm @ 68A, 10v
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3400pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусPG-TO262-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPI80N06S2-07 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход