IPB083N10N3 G


Купить IPB083N10N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB083N10N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPB083N10N3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3 mOhm @ 73A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3980pF @ 50V
Power - Max125W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    RC2012F683CS     SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS 21 817 цена радиодетали
    VICTOR VC9808+       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЖАЛО ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА 4ММ МЕДНОЕ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЖАЛО ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА 4ММ МЕДНОЕ     ТЕХНОПАЙКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ПАЯЛЬНИК (МОДЕЛЬ 9115B) 60W 220V (D ЖАЛА 6ММ. РУЧКА-ПОЛИКАРБОНАТ) БЛИСТЕР     DONGYUAN 4 678.40 
    ПАЯЛЬНИК ЭПСН-01-40ВТ/220В     ТЕРМОЛЮКС Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход