IPB083N10N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ESR10EZPJ331 | ROHM |
|
|
|||||
| ESR10EZPJ331 | ROHM |
|
|
|||||
| ESR10EZPJ331 | Rohm Semiconductor |
|
|
|||||
| L6392D | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L6392D | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 292 |
|
|||||
| MCR18EZHJ221 | ROHM |
|
|
|||||
| MCR18EZHJ221 | ROHM |
|
|
|||||
| MCR18EZHJ221 | Rohm Semiconductor |
|
|
|||||
 |
SK810L-TP |
|
Micro Commercial Co |
|
|
|||
|
|
SK810L-TP |
|
|
|
||||
| STD60NF06T4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STD60NF06T4 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STD60NF06T4 | 1 640 | 30.72 | ||||||
| STD60NF06T4 | 1 640 | 30.72 | ||||||
| STD60NF06T4 | JSMICRO | 1 | 29.05 |
