IPI147N12N3 G


Купить IPI147N12N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPI147N12N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPI147N12N3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.7 mOhm @ 56A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C56A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 61µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3220pF @ 60V
Power - Max107W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусPG-TO262-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход