IPA180N10N3 G


Купить IPA180N10N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPA180N10N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPA180N10N3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 28A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C28A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 35µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
Power - Max30W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack
КорпусPG-TO220FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход