IPA100N08N3 G


Купить IPA100N08N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPA100N08N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPA100N08N3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 40A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2410pF @ 40V
Power - Max35W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack
КорпусPG-TO220-FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход