BSZ16DN25NS3G
|
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 100V |
| Power - Max | 62.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
