NVD5803NT4G


Купить NVD5803NT4G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NVD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 85A DPAK MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики NVD5803NT4G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C85A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs51nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3220pF @ 25V
Power - Max83W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NVD5803NT4G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход