IPB90N06S4-04
N-channel 60v mosfet optimos®-t2 power-transistor
|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 90A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 90A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 10400pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru