NTD5862N-1G


Купить NTD5862N-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD5862N-1G MOSFET N-CH 60V 90A DPAK MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD5862N-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7 mOhm @ 45A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C90A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs82nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6000pF @ 25V
Power - Max96W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD5862N-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход