NTD5865NL-1G


Купить NTD5865NL-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD5865NL-1G MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM IPAK MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD5865NL-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
Power - Max52W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD5865NL-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход