IPB041N04N G


Купить IPB041N04N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB041N04N G
Версия для печати

Технические характеристики IPB041N04N G

Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1 mOhm @ 80A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4500pF @ 20V
Power - Max94W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход