BSC12DN20NS3G
|
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
