BS7067N06LS3G


Купить BS7067N06LS3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BS7067N06LS3G MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BS7067N06LS3G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4800pF @ 30V
Power - Max78W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerVDFN
КорпусPG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BS7067N06LS3G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход