IPD90N03S4L-02


Купить IPD90N03S4L-02 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD90N03S4L-02 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Версия для печати

Технические характеристики IPD90N03S4L-02

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 90A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C90A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9750pF @ 25V
Power - Max136W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPD90N03S4L-02 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход