IPD30N08S2-22


Купить IPD30N08S2-22 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD30N08S2-22 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Версия для печати

Технические характеристики IPD30N08S2-22

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
Power - Max136W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPD30N08S2-22 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход