CSD25303W1015
|
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-UFBGA, DSBGA |
| Корпус | 6-DSBGA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
