BSZ900N15NS3 G


Купить BSZ900N15NS3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSZ900N15NS3 G MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BSZ900N15NS3 G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 75V
Power - Max38W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSZ900N15NS3 G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход