BSF045N03MQ3 G


Купить BSF045N03MQ3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSF045N03MQ3 G MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
Версия для печати

Технические характеристики BSF045N03MQ3 G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C63A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2600pF @ 15V
Power - Max28W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)MG-WDSON-2
КорпусPG-MG-WDSON-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSF045N03MQ3 G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход