BSO303SP


Купить BSO303SP ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSO303SP
Версия для печати

Технические характеристики BSO303SP

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 8.9A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.9A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1754pF @ 25V
Power - Max2.35W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
КорпусP-DSO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход