IPU78CN10N G


Купить IPU78CN10N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPU78CN10N G MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3 MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Версия для печати

Технические характеристики IPU78CN10N G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs78 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds716pF @ 50V
Power - Max31W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусPG-TO251-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPU78CN10N G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход