BSO200P03S
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | PG-DSO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
