IPD30N10S3L-34


Купить IPD30N10S3L-34 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD30N10S3L-34
Версия для печати

Технические характеристики IPD30N10S3L-34

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1976pF @ 25V
Power - Max57W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход