BSZ120P03NS3 G


Купить BSZ120P03NS3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSZ120P03NS3 G MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BSZ120P03NS3 G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 73µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3360pF @ 15V
Power - Max2.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSZ120P03NS3 G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход