BSC889N03MS G


Купить BSC889N03MS G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSC889N03MS G MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BSC889N03MS G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C44A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
Power - Max28W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TDSON-8 (5.15x6.15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSC889N03MS G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход