BSC889N03LS G


Купить BSC889N03LS G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSC889N03LS G MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
Версия для печати

Технические характеристики BSC889N03LS G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C45A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
Power - Max28W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TDSON-8 (5.15x6.15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSC889N03LS G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход