IPS075N03L G


Купить IPS075N03L G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPS075N03L G
Версия для печати

Технические характеристики IPS075N03L G

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1900pF @ 15V
Power - Max47W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусPG-TO251-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход