NTLJS4114NT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTLJS4114NT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	52	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTLJS4114NT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 15V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-WDFN Exposed Pad
Корпус	6-WDFN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.