BSR316P L6327
|
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 360mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 170µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 165pF @ 25V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SC-59 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
