TK55D10J1(Q)


Купить TK55D10J1(Q) ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TK55D10J1(Q) MOSFET N-CH 100V 55A 2-10V1A MOSFET N-CH 100V 55A 2-10V1A
Версия для печати

Технические характеристики TK55D10J1(Q)

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5 mOhm @ 27A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5700pF @ 10V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-10V1A
КорпусTO-220(W)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


TK55D10J1(Q) datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход