HAT2165N
|
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 55A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5180pF @ 10V |
| Power - Max | 30W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerSOIC (0.156", 3.95mm) |
| Корпус | 8-LFPAK-iV |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
