HAT2160N-EL-E
|
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7600pF @ 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerSOIC (0.156", 3.95mm) |
| Корпус | 8-LFPAK-iV |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
