TPC8A04-H(TE12L,Q)
|
MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5700pF @ 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-SOP (5.5x6.0) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
