TPC8018-H(TE12LQM)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TPC8018-H(TE12LQM) (TOSHIBA.)	129	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Версия для печати

Технические характеристики TPC8018-H(TE12LQM)

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2265pF @ 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-SOP (5.5x6.0)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TPC8018-H(TE12LQM) datasheet