TPC8012-H(TE12L,Q)
|
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-SOP (5.5x6.0) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
