UPA2810T1L-E2-AY


Купить UPA2810T1L-E2-AY ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
UPA2810T1L-E2-AY MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON
Версия для печати

Технические характеристики UPA2810T1L-E2-AY

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1860pF @ 10V
Power - Max1.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-HVSON
Корпус8-HVSON
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


UPA2810T1L-E2-AY datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход