UPA2800T1L-E2-AY


Купить UPA2800T1L-E2-AY ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
UPA2800T1L-E2-AY MOSFET N-CH 30V MINI 8-HVSON MOSFET N-CH 30V MINI 8-HVSON
Версия для печати

Технические характеристики UPA2800T1L-E2-AY

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1770pF @ 15V
Power - Max1.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-HVSON
Корпус8-HVSON
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


UPA2800T1L-E2-AY datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход