UPA2200T1M-T1-AT


Купить UPA2200T1M-T1-AT ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
UPA2200T1M-T1-AT MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM
Версия для печати

Технические характеристики UPA2200T1M-T1-AT

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds870pF @ 10V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-WSOF
Корпус8-VSOF
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


UPA2200T1M-T1-AT datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход