UPA652TT-E1-A
|
MOSFET P-CH 20V 6-WSOF |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 294 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.1nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 126pF @ 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-WSOF |
| Корпус | 6-WSOF |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
