SSM3J108TU(TE85L)
|
MOSFET P-CH 20V 1.8A 2-2U1A |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 800mA, 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | UFM |
| Корпус | UFM (2.0x2.1) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
