STY112N65M5
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
STY112N65M5 (ST MICROELECTRONICS) |
22 |
1 435.08
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики STY112N65M5
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 47A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 93A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Power - Max | 450W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | MAX247™ |
| Корпус | MAX-247 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
