IXFR10N100Q


Купить IXFR10N100Q ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFR10N100Q MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Версия для печати

Технические характеристики IXFR10N100Q

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)ISOPLUS247™
КорпусISOPLUS247™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFR10N100Q datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход